BS250KL-TR1-E3

Paramètre produit

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série

TrenchFET®

Type FET

P-Channel

emballage

Cut Tape (CT)

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Obsolete

Type de montage

Through Hole

Paquet/dossier

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 500mA, 10V

Dissipation de puissance (Max)

800mW (Ta)

Boîtier du fournisseur

TO-92-18RM

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 15V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

270mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V