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US1M-E3/5AT
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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US1M-E3/5AT

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC


fabricant: Vishay / Semiconductor - Diodes Division

Fiche technique: US1M-E3/5AT

prix:

USD $0.35

Stock: 4676 pcs

Paramètre produit

vitesse
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
série
-
emballage
Digi-Reel®
Type de diodes
Standard
Statut partiel
Active
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
DO-214AC, SMA
Numéro de Base
US1M
Capacité au Vr, F
10pF @ 4V, 1MHz
Boîtier du fournisseur
DO-214AC (SMA)
Temps de récupération inverse (TRR)
75ns
Courant - fuite inverse à Vr
10µA @ 1000V
Inversion du courant continu (Vr) (Max)
1000V
Courant - moyenne rectifiée (Io)
1A
Température de fonctionnement - jonction
-55°C ~ 150°C
Tension à l’avant (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 1A

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