Menu Navigation

S3M-E3/9AT
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
thumb-0

S3M-E3/9AT

DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB


fabricant: Vishay / Semiconductor - Diodes Division

Fiche technique: S3M-E3/9AT

prix:

USD $0.78

Stock: 2824 pcs

Paramètre produit

vitesse
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
série
-
emballage
Digi-Reel®
Type de diodes
Standard
Statut partiel
Active
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
DO-214AB, SMC
Numéro de Base
S3M
Capacité au Vr, F
60pF @ 4V, 1MHz
Boîtier du fournisseur
DO-214AB (SMC)
Temps de récupération inverse (TRR)
2.5µs
Courant - fuite inverse à Vr
10µA @ 1000V
Inversion du courant continu (Vr) (Max)
1000V
Courant - moyenne rectifiée (Io)
3A
Température de fonctionnement - jonction
-55°C ~ 150°C
Tension à l’avant (Vf) (Max) @ If
1.15V @ 2.5A

Vous pourriez aussi être intéressé