TPD3215M

Paramètre produit

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série

-

Type FET

2 N-Channel (Half Bridge)

emballage

Bulk

Domaine d’action prioritaire

GaNFET (Gallium Nitride)

Statut partiel

Obsolete

Puissance - Max

470W

Type de montage

Through Hole

Paquet/dossier

Module

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 30A, 8V

Boîtier du fournisseur

Module

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 8V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

600V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

2260pF @ 100V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

70A (Tc)