TK160F10N1L,LQ

Paramètre produit

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série

U-MOSVIII-H

Type FET

N-Channel

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

Température de fonctionnement

175°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 80A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

375W (Tc)

Boîtier du fournisseur

TO-220SM(W)

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

122nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

100V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

10100pF @ 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

160A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V