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RN2901FE(TE85L,F)
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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RN2901FE(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6


fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Fiche technique: RN2901FE(TE85L,F)

prix:

USD $0.08

Stock: 3301 pcs

Paramètre produit

série
-
emballage
Digi-Reel®
Statut partiel
Active
Puissance - Max
100mW
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
SOT-563, SOT-666
Type Transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Résistance - Base (R1)
4.7kOhms
Fréquence - Transition
200MHz
Boîtier du fournisseur
ES6
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
4.7kOhms
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Courant collecteur (Ic) (Max)
100mA
Compteur de courant (Max)
100nA (ICBO)
Gain de courant (hFE) (Min
30 @ 10mA, 5V
Rupture de l’émetteur du collecteur (Max)
50V

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