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MT3S111TU,LF

RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N


fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Fiche technique: MT3S111TU,LF

prix:

USD $0.61

Stock: 74 pcs

Paramètre produit

Gain
12.5dB
série
-
emballage
Digi-Reel®
Statut partiel
Active
Puissance - Max
800mW
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
3-SMD, Flat Leads
Type Transistor
NPN
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Fréquence - Transition
10GHz
Boîtier du fournisseur
UFM
Valeur du bruit (dB Typ/f)
0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
Courant collecteur (Ic) (Max)
100mA
Gain de courant (hFE) (Min
200 @ 30mA, 5V
Rupture de l’émetteur du collecteur (Max)
6V

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