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CRY62(TE85L,Q,M)

X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Fiche technique: CRY62(TE85L,Q,M)

prix:

USD $0.17

Stock: 7 pcs

Paramètre produit

série

-

tolérance

±9.68%

Statut partiel

Active

Puissance - Max

700mW

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

SOD-123F

Impédance (Max) (Zzt)

60 Ohms

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Boîtier du fournisseur

S-FLAT (1.6x3.5)

Tension - Zener (Nom) (Vz)

6.2V

Courant - fuite inverse à Vr

10µA @ 3V

Tension à l’avant (Vf) (Max) @ If

1V @ 200mA

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