2SJ610(TE16L1,NQ)

Paramètre produit

---

série

-

Type FET

P-Channel

emballage

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Obsolete

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.55Ohm @ 1A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

20W (Ta)

Boîtier du fournisseur

PW-MOLD

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

250V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

381pF @ 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

2A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V