2SJ168TE85LF

Paramètre produit

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série

-

Type FET

P-Channel

emballage

Cut Tape (CT)

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 50mA, 10V

Dissipation de puissance (Max)

200mW (Ta)

Boîtier du fournisseur

SC-59

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

60V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

85pF @ 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

200mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V