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1SS307(TE85L,F)
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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1SS307(TE85L,F)

DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI


fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Fiche technique: 1SS307(TE85L,F)

prix:

USD $0.03

Stock: 1490 pcs

Paramètre produit

vitesse
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
série
-
emballage
Digi-Reel®
Type de diodes
Standard
Statut partiel
Active
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Capacité au Vr, F
6pF @ 0V, 1MHz
Boîtier du fournisseur
S-Mini
Courant - fuite inverse à Vr
10µA @ 30V
Inversion du courant continu (Vr) (Max)
30V
Courant - moyenne rectifiée (Io)
100mA
Température de fonctionnement - jonction
125°C (Max)
Tension à l’avant (Vf) (Max) @ If
1.3V @ 100mA

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