TC58NYG2S3EBAI5

Paramètre produit

---

RoHS

Details

marque

Toshiba Memory

vitesse

25 ns

produit

NAND Flash

emballage

Tray

Taille de la mémoire

4 Gbit

Type de mémoire

NAND

sous-catégorie

Memory & Data Storage

Choix du moment

Synchronous

Architecture

Block Erase

fabricant

Toshiba

organisation

512 M x 8

Type de produit

NAND Flash

Largeur du Bus de données

8 bit

Type d’interface

Parallel

Style de montage

SMD/SMT

Paquet/dossier

TFBGA-63

Catégorie de produits

NAND Flash

Sensible à l’humidité

Yes

Courant d’alimentation - Max

30 mA

Tension d’alimentation - Max

1.95 V

Tension d’alimentation — Min

1.7 V

Quantité d’emballage d’usine

180

Fréquence d’horloge maximale

-

Température maximale de fonctionnement

+ 85 C

Température minimale de fonctionnement

- 40 C