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TH58NYG3S0HBAI4
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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TH58NYG3S0HBAI4

8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V


fabricant: Toshiba Memory America, Inc.

Fiche technique: TH58NYG3S0HBAI4

prix:

USD $8.6

Stock: 210 pcs

Paramètre produit

série
-
technologie
FLASH - NAND (SLC)
Temps d’accès
25ns
Taille de la mémoire
8Gb (1G x 8)
Type de mémoire
Non-Volatile
Statut partiel
Active
Format mémoire
FLASH
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
63-VFBGA
Interface mémoire
Parallel
Tension d’alimentation
1.7V ~ 1.95V
Température de fonctionnement
-40°C ~ 85°C (TA)
Boîtier du fournisseur
63-TFBGA (9x11)
Ecrire le temps du Cycle - mot, Page
25ns

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