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SFS1001GHMNG
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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SFS1001GHMNG

DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB


fabricant: Taiwan Semiconductor Corporation

Fiche technique: SFS1001GHMNG

prix:

USD $0.99

Stock: 12 pcs

Paramètre produit

vitesse
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
série
Automotive, AEC-Q101
emballage
Tape & Reel (TR)
Type de diodes
Standard
Statut partiel
Active
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Capacité au Vr, F
70pF @ 4V, 1MHz
Boîtier du fournisseur
TO-263AB (D²PAK)
Temps de récupération inverse (TRR)
35ns
Courant - fuite inverse à Vr
1µA @ 50V
Inversion du courant continu (Vr) (Max)
50V
Courant - moyenne rectifiée (Io)
10A
Température de fonctionnement - jonction
-55°C ~ 150°C
Tension à l’avant (Vf) (Max) @ If
975mV @ 5A

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