Menu Navigation

S3JB M4G
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
thumb-0

S3JB M4G

DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA


fabricant: Taiwan Semiconductor Corporation

Fiche technique: S3JB M4G

prix:

USD $0.09

Stock: 94 pcs

Paramètre produit

vitesse
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
série
-
emballage
Tape & Reel (TR)
Type de diodes
Standard
Statut partiel
Active
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
DO-214AA, SMB
Capacité au Vr, F
40pF @ 4V, 1MHz
Boîtier du fournisseur
DO-214AA (SMB)
Temps de récupération inverse (TRR)
1.5µs
Courant - fuite inverse à Vr
10µA @ 600V
Inversion du courant continu (Vr) (Max)
600V
Courant - moyenne rectifiée (Io)
3A
Température de fonctionnement - jonction
-55°C ~ 150°C
Tension à l’avant (Vf) (Max) @ If
1.15V @ 3A

Vous pourriez aussi être intéressé