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HS3M R7G
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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HS3M R7G

DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB


fabricant: Taiwan Semiconductor Corporation

Fiche technique: HS3M R7G

prix:

USD $0.25

Stock: 4413 pcs

Paramètre produit

vitesse
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
série
-
emballage
Digi-Reel®
Type de diodes
Standard
Statut partiel
Not For New Designs
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
DO-214AB, SMC
Capacité au Vr, F
50pF @ 4V, 1MHz
Boîtier du fournisseur
DO-214AB (SMC)
Temps de récupération inverse (TRR)
75ns
Courant - fuite inverse à Vr
10µA @ 1000V
Inversion du courant continu (Vr) (Max)
1000V
Courant - moyenne rectifiée (Io)
3A
Température de fonctionnement - jonction
-55°C ~ 150°C
Tension à l’avant (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 3A

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