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HS3K R7G
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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HS3K R7G

DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB


fabricant: Taiwan Semiconductor Corporation

Fiche technique: HS3K R7G

prix:

USD $0.45

Stock: 810 pcs

Paramètre produit

vitesse
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
série
-
emballage
Cut Tape (CT)
Type de diodes
Standard
Statut partiel
Discontinued at Digi-Key
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
DO-214AB, SMC
Capacité au Vr, F
50pF @ 4V, 1MHz
Boîtier du fournisseur
DO-214AB (SMC)
Temps de récupération inverse (TRR)
75ns
Courant - fuite inverse à Vr
10µA @ 800V
Inversion du courant continu (Vr) (Max)
800V
Courant - moyenne rectifiée (Io)
3A
Température de fonctionnement - jonction
-55°C ~ 150°C
Tension à l’avant (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 3A

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