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HER601G A0G

DIODE GEN PURP 50V 6A R-6


fabricant: Taiwan Semiconductor Corporation

Fiche technique: HER601G A0G

prix:

USD $0.71

Stock: 31 pcs

Paramètre produit

vitesse
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
série
-
emballage
Tape & Box (TB)
Type de diodes
Standard
Statut partiel
Active
Type de montage
Through Hole
Paquet/dossier
R6, Axial
Capacité au Vr, F
80pF @ 4V, 1MHz
Boîtier du fournisseur
R-6
Temps de récupération inverse (TRR)
50ns
Courant - fuite inverse à Vr
10µA @ 50V
Inversion du courant continu (Vr) (Max)
50V
Courant - moyenne rectifiée (Io)
6A
Température de fonctionnement - jonction
-55°C ~ 150°C
Tension à l’avant (Vf) (Max) @ If
1V @ 6A

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