Menu Navigation

ES1BLHR3G
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
thumb-0

ES1BLHR3G

DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA


fabricant: Taiwan Semiconductor Corporation

Fiche technique: ES1BLHR3G

prix:

USD $0.03

Stock: 1660 pcs

Paramètre produit

vitesse
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
série
Automotive, AEC-Q101
emballage
Digi-Reel®
Type de diodes
Standard
Statut partiel
Active
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
DO-219AB
Capacité au Vr, F
10pF @ 4V, 1MHz
Boîtier du fournisseur
Sub SMA
Temps de récupération inverse (TRR)
35ns
Courant - fuite inverse à Vr
5µA @ 100V
Inversion du courant continu (Vr) (Max)
100V
Courant - moyenne rectifiée (Io)
1A
Température de fonctionnement - jonction
-55°C ~ 150°C
Tension à l’avant (Vf) (Max) @ If
950mV @ 1A

Vous pourriez aussi être intéressé