SMA5125

Paramètre produit

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série

-

Type FET

3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)

emballage

Tube

Domaine d’action prioritaire

Standard

Statut partiel

Not For New Designs

Puissance - Max

4W

Type de montage

Through Hole

Paquet/dossier

12-SIP

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 5A, 4V

Boîtier du fournisseur

12-SIP

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

-

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

60V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

460pF @ 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

10A