SKI06073

Paramètre produit

---

série

-

Type FET

N-Channel

emballage

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3mOhm @ 39A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

116W (Tc)

Boîtier du fournisseur

TO-263

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

53.6nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

60V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

3810pF @ 25V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

78A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V