STV200N55F3

Paramètre produit

---

série

STripFET™

Type FET

N-Channel

emballage

Digi-Reel®

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Obsolete

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

Numéro de Base

STV200

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 75A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

300W (Tc)

Boîtier du fournisseur

10-PowerSO

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

55V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

6800pF @ 25V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

200A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V