Menu Navigation

STI100N10F7
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
thumb-0

STI100N10F7

MOSFET


fabricant: STMicroelectronics

Fiche technique: STI100N10F7

prix:

USD $0.81

Stock: 95 pcs

Paramètre produit

série
STripFET™
Type FET
N-Channel
emballage
Tape & Reel (TR)
Vgs (Max)
-
technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Domaine d’action prioritaire
-
Statut partiel
Active
Type de montage
Through Hole
Paquet/dossier
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Numéro de Base
STI100N
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Température de fonctionnement
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Dissipation de puissance (Max)
-
Boîtier du fournisseur
I2PAK (TO-262)
Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 25V
Tension du Drain vers la Source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
80A
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
-

Vous pourriez aussi être intéressé