STD6N80K5

Paramètre produit

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série

SuperMESH5™

Type FET

N-Channel

emballage

Cut Tape (CT)

Vgs (Max)

30V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Numéro de Base

STD6N

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 2A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

85W (Tc)

Boîtier du fournisseur

DPAK

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

800V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

255pF @ 100V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

4.5A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V