STD50NH02L-1

Paramètre produit

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série

STripFET™ III

Type FET

N-Channel

emballage

Tube

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Obsolete

Type de montage

Through Hole

Paquet/dossier

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Numéro de Base

STD50N

Vgs(th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 25A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

60W (Tc)

Boîtier du fournisseur

I-PAK

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

24V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

1400pF @ 25V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

50A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V