STD10P6F6

Paramètre produit

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série

DeepGATE™, STripFET™ VI

Type FET

P-Channel

emballage

Digi-Reel®

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Numéro de Base

STD10

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Température de fonctionnement

175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 5A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

35W (Tc)

Boîtier du fournisseur

DPAK

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

6.4nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

60V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

340pF @ 48V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

10A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V