GP1S51VJ000F

Paramètre produit

---

Type

Unamplified

série

-

emballage

Bulk

Statut partiel

Active

Type de montage

Through Hole

Temps de réponse

3µs, 4µs

Paquet/dossier

PCB Mount

Méthode de détection

Transmissive

Distance de détection

0.118" (3mm)

Configuration des sorties

Phototransistor

Température de fonctionnement

-25°C ~ 85°C

Courant collecteur (Ic) (Max)

20mA

Courant — DC à terme (If) (Max)

50mA

Rupture de l’émetteur du collecteur (Max)

35V