UPA2812T1L-E1-AT

Paramètre produit

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série

-

Type FET

P-Channel

emballage

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

8-PowerVDFN

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8mOhm @ 30A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

1.5W (Ta), 52W (Tc)

Boîtier du fournisseur

8-HVSON (3x3.3)

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

30V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

3740pF @ 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

30A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V