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RQK0607AQDQS#H1
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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RQK0607AQDQS#H1

MOSFET N-CH


fabricant: Renesas Electronics America

Fiche technique: RQK0607AQDQS#H1

prix:

USD $0.48

Stock: 75 pcs

Paramètre produit

série
-
Type FET
N-Channel
emballage
Tape & Reel (TR)
Vgs (Max)
±12V
technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Domaine d’action prioritaire
-
Statut partiel
Active
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
TO-243AA
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Dissipation de puissance (Max)
1.5W (Ta)
Boîtier du fournisseur
UPAK
Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 4.5V
Tension du Drain vers la Source (Vdss)
60V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max
170pF @ 10V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
2.4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V

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