RQJ0305EQDQS#H1

Paramètre produit

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série

-

Type FET

P-Channel

Vgs (Max)

+8V, -12V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Obsolete

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

TO-243AA

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 1mA

Température de fonctionnement

150°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 1.7A, 4.5V

Dissipation de puissance (Max)

1.5W (Ta)

Boîtier du fournisseur

UPAK

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 4.5V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

30V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

330pF @ 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

3.4A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V