RJS6004TDPN-EJ#YJ1

Paramètre produit

---

vitesse

No Recovery Time > 500mA (Io)

série

-

Type de diodes

Silicon Carbide Schottky

Statut partiel

Obsolete

Type de montage

Through Hole

Paquet/dossier

TO-220-2

Capacité au Vr, F

-

Boîtier du fournisseur

TO-220AB-2L

Temps de récupération inverse (TRR)

0ns

Courant - fuite inverse à Vr

10µA @ 600V

Inversion du courant continu (Vr) (Max)

600V

Courant - moyenne rectifiée (Io)

10A (DC)

Température de fonctionnement - jonction

150°C (Max)

Tension à l’avant (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 10A