RJK6032DPD-00#J2

Paramètre produit

---

série

-

Type FET

N-Channel

emballage

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±30V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Obsolete

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3Ohm @ 1.5A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

40.3W (Tc)

Boîtier du fournisseur

MP-3A

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

600V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

285pF @ 25V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

3A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V