RJK6018DPK-00#T0

Paramètre produit

---

série

-

Type FET

N-Channel

emballage

Tube

Vgs (Max)

±30V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Through Hole

Paquet/dossier

TO-3P-3, SC-65-3

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

235mOhm @ 15A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

200W (Tc)

Boîtier du fournisseur

TO-3P

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

92nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

600V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

4100pF @ 25V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

30A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V