RJK5030DPD-00#J2

Paramètre produit

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série

-

Type FET

N-Channel

emballage

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±30V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 2A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

41.7W (Tc)

Boîtier du fournisseur

MP-3A

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

500V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

550pF @ 25V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

5A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V