RJK0301DPB-WS#J0

Paramètre produit

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série

-

Type FET

N-Channel

Vgs (Max)

+16V, -12V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Obsolete

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

SC-100, SOT-669

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Température de fonctionnement

150°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 30A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

65W (Tc)

Boîtier du fournisseur

5-LFPAK

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

30V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

5000pF @ 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

60A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V