NP89N04NUK-S18-AY

Paramètre produit

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série

-

Type FET

N-Channel

emballage

Tube

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Through Hole

Paquet/dossier

TO-262-3 Full Pack, I²Pak

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Température de fonctionnement

175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 45A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

1.8W (Ta), 147W (Tc)

Boîtier du fournisseur

TO-262

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

102nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

40V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

5850pF @ 25V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

90A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V