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NP75P03YDG-E1-AY
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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NP75P03YDG-E1-AY

MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON


fabricant: Renesas Electronics America

Fiche technique: NP75P03YDG-E1-AY

prix:

USD $0.06

Stock: 17 pcs

Paramètre produit

série
-
Type FET
P-Channel
emballage
Digi-Reel®
Vgs (Max)
±20V
technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Domaine d’action prioritaire
-
Statut partiel
Discontinued at Digi-Key
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.2mOhm @ 37.5A, 10V
Dissipation de puissance (Max)
1W (Ta), 138W (Tc)
Boîtier du fournisseur
8-HSON
Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs
141nC @ 10V
Tension du Drain vers la Source (Vdss)
30V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max
4800pF @ 25V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V

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