NP55N03SUG-E1-AY

Paramètre produit

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série

-

Type FET

N-Channel

emballage

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Obsolete

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Température de fonctionnement

175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 28A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

1.2W (Ta), 77W (Tc)

Boîtier du fournisseur

TO-252 (MP-3ZK)

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

93nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

30V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

5300pF @ 25V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

55A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V