NP100P04PDG-E1-AY

Paramètre produit

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série

-

Type FET

P-Channel

emballage

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Température de fonctionnement

175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 50A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

1.8W (Ta), 200W (Tc)

Boîtier du fournisseur

TO-263

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

320nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

40V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

15100pF @ 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

100A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V