HAT2170H-EL-E

Paramètre produit

---

série

-

Type FET

N-Channel

emballage

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

SC-100, SOT-669

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 22.5A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

30W (Tc)

Boîtier du fournisseur

LFPAK

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

40V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

4650pF @ 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

45A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V