HAT1047RWS-E

Paramètre produit

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série

-

Type FET

P-Channel

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Obsolete

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Température de fonctionnement

150°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 7A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

2.5W (Ta)

Boîtier du fournisseur

8-SOP

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

30V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

3500pF @ 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

14A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V