2SK2221-E

Paramètre produit

---

série

-

Type FET

N-Channel

emballage

Tube

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Through Hole

Paquet/dossier

TO-3P-3, SC-65-3

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Dissipation de puissance (Max)

100W (Tc)

Boîtier du fournisseur

TO-3P

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

200V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

600pF @ 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

8A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

-