HIP2100EIBZT

Paramètre produit

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série

-

Type de porte

N-Channel MOSFET

emballage

Tape & Reel (TR)

entrée

Non-Inverting

Statut partiel

Active

Type de canal

Independent

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Numéro de Base

HIP2100

Tension d’alimentation

9V ~ 14V

Nombre de conducteurs

2

Configuration poussée

Half-Bridge

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Temps de montée/chute (Typ)

10ns, 10ns

Boîtier du fournisseur

8-SOIC-EP

La tension logique — VIL, VIH

4V, 7V

Haute tension latérale - Max (Bootstrap)

114V

Production de pointe (Source, puits)

2A, 2A