RZE002P02TL

Paramètre produit

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série

-

Type FET

P-Channel

emballage

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±10V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Not For New Designs

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

SC-75, SOT-416

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 100µA

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 200mA, 4.5V

Dissipation de puissance (Max)

150mW (Ta)

Boîtier du fournisseur

EMT3

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 4.5V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

20V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

115pF @ 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

200mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V