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RGW80TK65DGVC11
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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RGW80TK65DGVC11

650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT


fabricant: ROHM Semiconductor

Fiche technique: RGW80TK65DGVC11

prix:

USD $5.75

Stock: 450 pcs

Paramètre produit

série
-
Type IGBT
Trench Field Stop
entrée
Standard
Taxe d’entrée
110nC
Statut partiel
Active
Puissance - Max
81W
Type de montage
Through Hole
Paquet/dossier
TO-3PFM, SC-93-3
Conditions d’essai
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Transfert d’énergie
760µJ (on), 720µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
44ns/143ns
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Boîtier du fournisseur
TO-3PFM
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 40A
Temps de récupération inverse (TRR)
92ns
Courant collecteur (Ic) (Max)
39A
Courant pulsé par le collecteur (Icm)
160A
Rupture de l’émetteur du collecteur (Max)
650V

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