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RFN20NS6STL
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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RFN20NS6STL

DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS


fabricant: ROHM Semiconductor

Fiche technique: RFN20NS6STL

prix:

USD $0.86

Stock: 51 pcs

Paramètre produit

vitesse
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
série
-
emballage
Tape & Reel (TR)
Type de diodes
Standard
Statut partiel
Active
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Capacité au Vr, F
-
Boîtier du fournisseur
LPDS
Temps de récupération inverse (TRR)
60ns
Courant - fuite inverse à Vr
10µA @ 600V
Inversion du courant continu (Vr) (Max)
600V
Courant - moyenne rectifiée (Io)
20A
Température de fonctionnement - jonction
150°C (Max)
Tension à l’avant (Vf) (Max) @ If
1.55V @ 20A

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