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RFN10B3STL
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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RFN10B3STL

DIODE GEN PURP 350V 10A CPD


fabricant: ROHM Semiconductor

Fiche technique: RFN10B3STL

prix:

USD $0.16

Stock: 25 pcs

Paramètre produit

vitesse
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
série
-
emballage
Cut Tape (CT)
Type de diodes
Standard
Statut partiel
Obsolete
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de Base
RFN10B3S
Capacité au Vr, F
-
Boîtier du fournisseur
CPD
Temps de récupération inverse (TRR)
30ns
Courant - fuite inverse à Vr
10µA @ 350V
Inversion du courant continu (Vr) (Max)
350V
Courant - moyenne rectifiée (Io)
10A
Température de fonctionnement - jonction
150°C (Max)
Tension à l’avant (Vf) (Max) @ If
1.5V @ 10A

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