BS2103F-E2

Paramètre produit

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série

-

Type de porte

IGBT, N-Channel MOSFET

emballage

Tape & Reel (TR)

entrée

Non-Inverting

Statut partiel

Active

Type de canal

Independent

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Tension d’alimentation

10V ~ 18V

Nombre de conducteurs

2

Configuration poussée

Half-Bridge

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Temps de montée/chute (Typ)

200ns, 100ns

Boîtier du fournisseur

8-SOP

La tension logique — VIL, VIH

1V, 2.6V

Haute tension latérale - Max (Bootstrap)

600V

Production de pointe (Source, puits)

60mA, 130mA