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NTJS3151PT2G
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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NTJS3151PT2G

MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363


fabricant: ON Semiconductor

Fiche technique: NTJS3151PT2G

prix:

USD $0.1

Stock: 68 pcs

Paramètre produit

série
-
Type FET
P-Channel
emballage
Tape & Reel (TR)
Vgs (Max)
±12V
technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Domaine d’action prioritaire
-
Statut partiel
Active
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id
400mV @ 100µA
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Dissipation de puissance (Max)
625mW (Ta)
Boîtier du fournisseur
SC-88/SC70-6/SOT-363
Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
Tension du Drain vers la Source (Vdss)
12V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max
850pF @ 12V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
2.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V

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