NTHD2110TT1G

Paramètre produit

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série

-

Type FET

P-Channel

emballage

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±8V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Obsolete

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

8-SMD, Flat Lead

Vgs(th) (Max) @ Id

850mV @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 6.4A, 4.5V

Dissipation de puissance (Max)

1.1W (Ta)

Boîtier du fournisseur

ChipFET™

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

12V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

1072pF @ 6V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

4.5A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V